트랜지스터

transistor

• 과학
• 물품
• 현대

집필 및 수정

• 집필 1995년
• 진용옥
• 최종수정 2023년 02월 07일

트랜지스터 라디오

정의

3개 이상의 전극을 가진 반도체의 능동소자.

내용

트랜지스터는 세계적으로 잘 알려져 있는 미국의 벨전화연구소에서 제2차세계대전 때부터 연구하여 왔던 일련의 반도체연구자들에 의한 성과로 1948년쇼클리(Shockly,W.)·바딘(Bardeen,J.)·브래튼(Brattain,W.H.) 등에 의하여 발명되었다. 그리고 그 공적에 의하여 1956년 최대의 명예인 노벨물리학상이 이들 세 사람에게 수여되었다.

1948년 6월 처음으로 현재의 트랜지스터 모체인 점접촉TR(point contact transistor)가 완성되었고, 1949년에는 위대한 착상가로 알려진 쇼클리가 접합TR(junction transistor)이론을 발표하였다. 1950년 3월 포토TR(photo transistor), 1951년 7월에는 접합TR가 완성되었다.

이에 덧붙여 1952년에 역시 벨전화연구소의 팬(Pfann,W.G.)이 고안한 존정제법(Jone-refining method)에 의하여 인류가 지금까지 경험한 일이 없는 불순물함유율이 10 이하(순도가 99.9999999％ 이상)라는 매우 우수한 반도체가 대규모로 제조되었다.

이것은 또한 단결정이나 PN접합의 제조기술 진보와 함께 반도체물리학이나 TR공학의 진보에 크게 공헌하게 된 것이다. 그리고 전력용·고주파용의 4극TR 등이 급속도로 발명되었고, 일본 소니주식회사의 에사키(江崎)에 의하여 1958년 에사키 다이오드(Esaki diode, 일명 터널 다이오드)가 발명되었다.

이와 같이 하여 점접촉TR의 출현 이래 십수 년도 되지 않은 사이에 각국의 열렬한 연구가들이 반도체이론을 연구하였고 나아가서는 재료의 진보를 도와 더욱 TR의 발달에 박차를 가하여 짧은 세월에 진공관공학을 뒤엎을 정도의 방대한 분야를 포함하는 고체전자공학을 낳게 되었다.

우리 나라는 1965년에 트랜지스터가 개발되고, 1970년대에 들어서 본격적인 생산에 들어갔다.